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高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W）
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高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W）
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FT-49-ACPD1827SMAFA InGaAs 光电探测器集成内偏置电路,接纳 DC 耦合、SMA 输出接口、气密封装结构。
产品具有高饱和特征,可在高速光通讯、微波光子链路、高速测试丈量等系统应用。
■ 主要性能指标(TC=22±3℃)
■ 绝对最大额定值
■ 质量可靠性包管
―产品执行 GJB 8120-2013《半导体光电�？橥ㄓ霉娣丁废喙匾�。
■ 典范特征曲线
■ 封装形状、尺寸及引脚界说（单位：mm）
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Si带放大平衡光电探测器
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高速光电探测器接纳可靠高速电路设计,并应用高迅速度光电二极管和一个超低噪声的互阻放大器,可以有用地减小电信号噪声和畸变。本系列探测器提供多种转换增益可选,知足客户的差别需求。州差别增益的高速放大光电探测器配有一个SMA-K监测端口,监测互阻放大器上OUTPUT端电信号响应。该类探测器主要用于光谱检测、气体检测、模拟光信号吸收、脉冲光探测和光纤传感丈量等领域。
Si雪崩光电探测器
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F-tone Networks提供雪崩光电探测器(APD)比带放大光电探测器（PIN）,同样带宽下具有更高的迅速度和更低的噪声,因此很是适适用于低光功率应用,一样平常而言,雪崩光电二极管使用内部增益机制提高迅速度。在二极管上施加高反向偏压爆发强电场。当一个入射光子爆发一个电子空穴对时,电场使电子加速,导致由碰撞电离爆发次级电子。所爆发的电子雪崩将爆发几百倍的增益,用乘法因子M体现,M因子与反向偏压和温度有关。M因子随温度降低而增大,随温度升高而减小。因此我们所有雪崩光电探测器都提供温度赔偿,无需外置温控。现在我们只提供光纤耦合的雪崩光电探测器(APD),这些探测器的荟萃笼罩从可见到近红外(400-1100 nm)的感应规模；请参考下表我们每个光电二极管指标,相识每个探测器简直切探测规模。
CWDM 波分复用器
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Features
● Low insertion loss
● High channel isolation
● Low polarization dependent loss
● Exceptional reliability and stability
高速 InGaAs 光电探测器（DC可�。�
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FT-49-ACPD1820SMAFA型高速InGaAs 光电探测器集成内偏置电路 ，接纳 DC 耦合、SMA 输出接口、气密封装结构。
产品可在高速光通讯、微波光子链路、高速测试丈量等系统应用。
高速 InGaAs 光电探测器（DC～40GHz）
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FT-49-ACPD4021292FA型高速 InGaAs 光电探测器集成内偏置电路,接纳 DC 耦合、2.92 输出接口、气密封装结构。
产品具有高带宽特征,可在高速光通讯、微波光子链路、高速测试丈量等系统应用。
高速 InGaAs 光电探测器（DC～18GHz）
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FT-49-ACPD1825SMPFAInGaAs 光电探测器集成内偏置电路,接纳 DC 耦合、SMP 输出接口、气密封装结构。
产品具备小型化特征,可在高速光通讯、微波光子链路、高速测试丈量等系统应用。